• CoolGaN™是最佳选择。为什么?
  • 如何释放CoolGaN™的所有潜力?
  • 我们准备好了。你呢?

增强模式(常关)概念

· 

英飞凌通过大批量的端到端生产将电子模式概念推向一个成熟的水平

· 

在所有可用的GaN HEMT中提供最高性能

GaN在所有领域解决方案的好处

· 

更小巧与轻便的设计

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GaN EiceDRIVER容易使用与设计

· 

最高效率与功率密度水平

相信市场上最可靠的GaN解决方案

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根据具有非常保守的失效模型的综合资格进行资格认证

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预计长于15年的寿命

CoolGaN™电子模式HEMT产品组合

· 可提供顶部和底部冷却SMD封装

· 根据应用需求启动合适的散热性能

CoolGaN™ + GaN EiceDRIVER

· 双电平负栅极电压特别适用于第一个脉冲

· GaN导通瞬态与占空比或开关速度无

评估板

2500瓦特全桥图腾柱功率PFC

高频率半桥平台

CoolGaN在服务器的电源应用

·节省成本(物料清单,运营支出,资本支出)

·每个机架更多电量

CoolGaN在适配器和充电器的电源应用

·功率密度上的突破,适用于小巧轻便,高效率的解决方案

CoolGaN在D类音频上的应用

·最大化音频性能,实现出色的音质

·实际上可被忽略的热设计限制

CoolGaN 在电信的电源应用

·节省成本(物料清单,运营支出,资本支出)

·每个机架更多电量

CoolGaN在无线充电上的应用

·低Qg和C可在更高功率水平下实现高效率

·E类设计中的最佳调查,尤其适用于>30W的解决方案

产品 Package name Technology VDS max RDS (on) max QG IDpuls max ID @25°C max
PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
PG-HSOF-8 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 31A
PG-HSOF-8 CoolGaN™ 600 V 190 mΩ 3.2 nC 23A 12.5A
PG-DSO-20 CoolGaN™ 600 V 70 mΩ 5.8 nC 60A 15A
评估板 级别 描述

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN

CoolGaN™, EiceDRIVER™ GaN半桥开发板

EVAL_2500W_PFC_GAN_A

MOSFET高/低侧开关

Gate Driver栅极驱动器

CoolSET™"

采用CoolGaN™ 600V 电子模式

HEMTs 2.5kw全桥PFC开发板

活动规则

1. 活动时间2019.02.25-2019.04.25;

2. 登录电源网账号即可参与活动;

3。 活动流程:根据每周给出的题目,查阅活动区PDF,回答正确即可获得一次抽奖机会,共8周最多可获得8次抽奖机会;

4. 每人最多8次抽奖机会,不可小号参与活动,一经发现取消参与活动资格;

5. 活动最终解释权归电源网所有,有关于活动的任何问题可联系电源网-静静QQ1471950357。

你了解CoolGaN™的这些知识吗

根据每周给出的题目,查阅活动区PDF,每周回答正确即可获得一次抽奖机会

距下次更换题目还剩: 0102小时 0304

  • 第一周
  • 第二周
  • 第三周
  • 第四周
  • 第五周
  • 第六周
  • 第七周
  • 第八周

Gallium Nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs

Q1 CoolGaN™ 设计的好处有几个? 正确答案:4个

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CoolMOS™ 7 MOSFETs - CoolSiC™ diodes - Gallium Nitride CoolGaN™ HEMTs - Infineon’s technology trifecta for power designs of today and tomorrow

Gallium nitride - Gate driver ICs - GaN EiceDRIVER™ for GaN HEMTs

Gallium Nitride 600V e-mode-CoolGaN™

Solution Brief Gallium Nitride CoolGaN™ HEMTs and GaN EiceDRIVER™

Q1 英飞凌为您的应用提供了解决方案,其中SiC的关键特性不包含哪一点? 正确答案:Mainstream technology

Q2 用GaN EiceDRIVER™系列的关键性能中最小脉冲输出宽度是多少? 正确答案:18 ns

Q3 CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT主要优点不包括哪一项? 正确答案:英飞凌设定了更高的宽带隙质量水平

Q4 产品1EDF5673F的UVLO是多少? 正确答案:4.5 V / 5.0 V

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Data Sheet IGLD60R070D1

Data Sheet IGO60R070D1

Data Sheet IGOT60R070D1

Data Sheet IGT60R070D1

Data Sheet IGT60R190D1S

Q1 IGLD60R070D1最大额定参数功耗的注意/测试条件是什么? 正确答案:TC = 25 °C

Q2 IGO60R070D1的产品封装是什么? 正确答案:PG-DSO-20-85

Q3 关于IGOT60R070D1一共分几部分进行了介绍? 正确答案:8部分

Q4 IGT60R070D1脉冲电流,漏源最大值是多少? 正确答案:60

Q5 IGT60R190D1S的脉冲电流是多少? 正确答案:23A

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Evaluation Board Gallium Nitride CoolGaN™ - EVAL_2500W_PFC_GaN_A

Gallium Nitride - CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs

Gallium Nitride - CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs - driving CoolGaN™ high electron mobility transistors with EiceDRIVER™ 1EDI Compact

Package - Gallium Nitride - MOSFET - Thermal performance of surface mount semiconductor packages

Q1 在5.3.1页中C7的电压是多少? 正确答案:300 V

Q2 下面不属于本应用说明适用范围的是? 正确答案:Highest power density

Q3 CoolGaN™ 600V e栅极二极管正向电压是多少? 正确答案:3.5 V

Q4 Measuremet set-up设置分几部分? 正确答案:TIM,DUT,QUICK,RELEASE

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1 Gallium nitride - Why Infineon CoolGaN™

2 Gallium nitride - Reliability and qualification of CoolGaN™

3 Gallium nitride technology in server and telecom applications

4 Gallium nitride technology in adapter and charger applications

5 Gallium nitride - Benefits of GaN e-mode HEMTs in wirless power transfer

Q1 CoolGaN™ 600 V 器件系列产品已通过认证,预计寿命超过多少 年?故障率低于多少? 正确答案:15年,1FIT

Q2 英飞凌测试平台允许在电压高达多少V 的加速总线(相比较于 420V 的典型使用条件)和高于额定器件电流的情况下进行测试? 正确答案:700V

Q3 GaN 具有什么功能?可使用更简单的控制方案。 正确答案:硬开关

Q4 GaN 可为 65W USB-PD 适配器提供迄今无法实现的超过多少的小外形尺寸? 正确答案:20W/in³

Q5 硅和 GaN 之间功率损耗的降低幅度在百分之几左右? 正确答案:30%

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Market News Eltek launches Flatpack2 SHE module with CoolGaN™ technology

Market News Gallium Nitride CoolGaN™ 600V e-mode HEMTs and GaN EiceDRIVER™ gate driver IC

Market News PCIM 2018: Infineon’s CoolGaN™ opens up for a new horizon in power management

Q1 中央办公室网站在英国,250千瓦负荷-年度储蓄是多少? 正确答案:£18350

Q2 2018年英飞凌电子科技展AG 展示了其氮化镓(GaN)的优点是什么? 正确答案:更高的功率密度,使更小更轻的设计,更低的整体系统成本和运营费用以及资本支出的减少

Q3 在PCIM 2018贸易展上,英飞凌展示了其领先的技术高效系统在哪些方面的应用?工业,消费和汽车应用 正确答案:industrial, consumer and automotive applications

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Gallium nitride - CoolGaN™ - A new era in power electronics with Gallium Nitride - ETG Journal

Gallium nitride - CoolGaN™ enters the mass market - elektroniknet.de

Gallium nitride - CoolGaN™ startet in den Massenmarkt - Design&Elektronik

Gallium nitride - Cover story - Breaking boundaries with Infineon’s new GaN solution - Power Systems Design 11/ 2018

Gallium nitride - Effizienter ohne Kabel – GaN verbessert Class-D-Topologie - E&E

Gallium nitride - GaN HEMTs in class E power amplifiers: charging the wireless way - Elektronik

Gallium nitride - MOSFET - Silicon Carbide - Perspective of loss mechanisms for silicon and wide band-gap power devices

Gallium nitride - The promise of GaN in light of future requirements for power electronics

Q1 本次文章中介绍了几个英飞凌高层人物? 正确答案:4个

Q2 此文章的发布时间是什么? 正确答案:06.09.2018

Q3 第二页的时间分布图中Llfetime虚线模型用几种颜色介绍? 正确答案:3个

Q4 全桥图腾柱PFC拓扑图在文章的第几页? 正确答案:5页

Q5 Power transmitting unit (PTU)图中被标注的是以下哪个? 正确答案:Power amplifier

Q6 本文介绍的是哪一种方式? 正确答案:无线充电

Q7 随着技术的不断改进和制造成本的下降,超结晶体管成为多少高压电源器件的首选? 正确答案:500 ~ 800伏

Q8 为移动应用程序提供了迄今为止无法实现外形因素超出多少年³20 W / W USB-PD适配器? 正确答案:65年

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IGO60R070D1

IGOT60R070D1

IGT60R070D1

IGT60R190D1S

Q1 本产品鉴定报告描述了该产品在哪些方面的特点? 正确答案:质量和可靠性

Q2 Intermittent Operational Life TestMIL-STD 750 / Meth.1037的持续时间? 正确答案:15,000x

Q3 Dynamic Gate Current Bias的条件? 正确答案:Ta = 150 °C f = 100 kHz

Q4 ESD (HBM) JESD22-A114的Abbr.是什么? 正确答案:HTGS1

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